原子层沉积论文

论文摘要报道了一种新型PE-ALD工艺用于沉积碳化钴薄膜。以脒基钴为前驱体,在氢等离子体作用下,成功制备了碳化钴薄膜。薄膜厚度与沉积循环关系显示薄膜生长为理想的逐层生长行为,1...

论文摘要近年来,原子层沉积（ALD）技术以其精准的材料合成及修饰特性（精确到原子尺度）吸引了广泛关注.特别地,ALD技术在新型纳米催化材料研发方面表现优异.这集中体现在对催化反...

论文摘要采用原子层沉积(ALD)法对铝合金硫酸阳极氧化膜进行封闭,介绍了其主要工艺流程和参数。通过扫描电镜分析和中性盐雾试验对比了未封孔试样、沸水封闭试样和ALD封闭试样的表面...

论文摘要使用Ta[N(CH3)2]5和NH3等离子体作为反物用等离子体增强原子层沉积工艺生长了TaN薄膜,借助原子力显微镜、X射线光电子能谱、四探针和X射线反射等手段研究了薄膜...

论文摘要基于聚苯乙烯球自组装法,在P型氮化镓（P-GaN）衬底上制备了有序致密的掩模板;采用热蒸发法在该模板上沉积金属Al薄膜,通过甲苯溶液去除聚苯乙烯球,得到了金属Al纳米颗...

论文摘要垂直腔面发射半导体激光器（VerticalCavitySurfaceEmittingLaser,VCSEL）是一种性能优良的新型光源。它能够实现芯片表面的激光发射,具有...

论文摘要原子层沉积无机纳米薄膜技术广泛应用于军民领域。本文通过在原子层沉积系统加装原位石英晶体微天平测量系统,通过原位石英晶体微天平研究原子层沉积无机薄膜生长过程并进行薄膜厚度...

论文摘要金属硅化物材料具有较低的接触电阻,并且与硅材料有较好的兼容性,所以在互补金属氧化物半导体（CMOS）器件中被看作是重要的电极材料。形成镍金属硅化物的关键是镍金属单质的淀...

论文摘要以四（甲乙胺）铪（TEMAHf）作为前驱体,采用热原子层沉积（TALD）技术和等离子体增强原子层沉积（PEALD）技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪（HfO2）薄膜。分别研...

论文摘要本文概述了原子层沉积技术的发展历程、技术原理、工艺特点,重点介绍了目前几种比较成熟的原子层沉积技术在银制品上的应用研究,分析了缓蚀剂、封护剂等保护材料在银质文物保护中应...

论文摘要该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20nmHf0.5Zr0.5O2（HZO）薄膜,并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器.掠入射X射线衍射...

论文摘要利用原子层沉积（ALD）技术选择性沉积SiO2于Mo/HZSM-5催化剂外表面,制备一系列硅修饰的Mo/HZSM-5催化剂,并考察其催化甲烷无氧芳构化反应的性能。通过X...

论文摘要InSb作为重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料已经应用在光电探测器、中红外激光器等领域,但InSb与氧化物的界面质量对制造高性能器件仍然至关重要。通过对InSb/HfO2堆栈在3...

论文摘要在微通道板输出端镀制一层逸出功更高的金属膜以覆盖原有的镍铬电极,从而减小微通道板输出电子的动能以及在荧光屏上的弥散,提高微通道板的分辨力。实验结果表明,在微通道板的输出...