• SiC纳米材料的形貌调控及其场发射阴极性能

    SiC纳米材料的形貌调控及其场发射阴极性能

    论文摘要SiC一维纳米材料,具有良好的电子迁移率、稳定性和可制备性,是下一代重要的场发射阴极材料。通过对近年来SiC一维材料制备的研究,发现SiC的主要结构是纳米线/纳米棒、纳...