亚阈值摆幅论文

铁电负电容场效应晶体管器件的研究
论文摘要铁电负电容场效应晶体管作为一种新型半导体器件,利用铁电材料的负电容效应可使晶体管的亚阈值摆幅突破理论极限值60mV/dec,是未来低功耗晶体管领域最具有前途的器件之一。...