型掺杂论文

应变调控氢化锗烯中的分子掺杂
论文摘要理论与实验研究表明,全氢化的锗烯(锗烷)是带隙为1.59eV的非磁性半导体,而一侧半氢化的锗烯对应带隙为0.50eV的铁磁性半导体,其优异的电子特性有望在光电器件、传感...
Ca位p型掺杂Ca2Co2O5晶体材料电子状态的理论研究
论文摘要采用密度泛函理论研究了p型Na掺杂对Ca2Co2O5基晶体材料电子状态的影响,并分析了内部微细电子结构.结果表明,纯的Ca2Co2O5晶体材料和Na掺杂Ca2Co2O5...