谐振驱动论文

低压氮化镓器件谐振驱动技术及其反向导通特性
论文摘要继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后,半导体材料出现了第三代以氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料,其特点包括临界击穿电场高、饱和电子速度高、电子密度高、电子迁移率...