论文摘要通过功率外壳金硅(AuSi)焊接失效案例,研究了铜-钼铜-铜(CPC)、铜-钼-铜(CMC)为热沉材料的功率外壳镀覆工艺,包括在CPC(或CMC)材料无氧铜表面高温重新...
论文摘要镍基单晶高温合金具有良好的高温强度、抗氧化和抗腐蚀性能、抗蠕变性能和组织稳定性,被广泛应用于制造航空发动机和燃气轮机叶片。由于其工作条件复杂恶劣,采用有效手段修复单晶叶...
论文摘要钕钡铜氧(NdBCO)超导薄膜因在强磁场下拥有高临界转变温度(Tc)与高临界电流密度(Jc),且其本身的结晶质量与表面稳定性均优于目前研究最为广泛的钇钡铜氧(YBCO)...
全文摘要本实用新型提供一种独立开关式面光源VCSEL,其包括:半导体衬底、外延层以及至少两个各自独立工作的发光区域;外延层位于半导体衬底的正面,发光区域位于外延层的正面,各发光...
全文摘要本实用新型公开了一正装半导体发光器件,其包括依次层叠的一外延单元、一透明导电层、一绝缘层和一电极组以及具有一第一端部和对应于所述第一端部的一第二端部,其中所述电极组一N...
全文摘要本实用新型公开了一种助熔剂法连续生长氮化物体单晶用原料补充机构及系统。所述补充机构包括:用以容置待补充生长原料的承装密封腔、导流管路、导流部件及压力供给组件,所述承装密...
全文摘要本实用新型涉及一种DFB激光器外延结构,其包括其包括自下而上依次层叠设置的衬底、光栅层、缓冲层、限制层、下波导层、量子阱、上波导层、上限制层、过渡层、腐蚀阻挡层、包层、...
全文摘要本实用新型涉及一种新型增强型半导体器件。该器件包括衬底、半导体外延层、栅极、源极和漏极。外延层包括氮化物成核层、氮化物应力缓冲层、氮化物沟道层、一次外延氮化物势垒层、p...
全文摘要本实用新型公开了一种生产红外探测器的外延生长装置,包括外延生长装置主体,外延生长装置主体的底部设置有装置盒,装置盒的内部一端安装有固定块,固定块的一侧中部设置有驱动电机...
全文摘要本公开的实施例涉及高电子迁移率晶体管。一种高电子迁移率晶体管,包括:半导体异质结构;第一掺杂栅极区域,在异质结构之上延伸并且包含P型的掺杂剂杂质;第二掺杂栅极区域,具有...
全文摘要本实用新型提供一种宽温度范围的DFB激光器,该DFB激光器的外延层结构包括非InP基板,所述非InP基板上依次层叠设置有N型连接层、光栅掩埋层、N型光栅层、N型限制层、...
全文摘要本实用新型公开了一种VDMOS。VDMOS包括有源区,有源区设置若干个相互并联的元胞,每个元胞包括依次层叠的衬底、总外延层和多晶硅栅;每个元胞包括一条多晶硅栅,相邻的两...