退火晶化论文

SiNX覆盖层厚度对非晶In-Ga-Zn-O薄膜退火晶化的影响研究
论文摘要采用射频磁控溅射在二氧化硅衬底上沉积一层厚度200nm的非晶In-Ga-Zn-O（IGZO）薄膜,并在IGZO膜层上沉积厚度分别为20nm、50nm、60nm、70nm...