损伤位置论文

MOS器件的强电磁脉冲敏感位置和损伤机理的研究
论文摘要随着半导体器件特征尺寸的逐渐减小,集成电路集成度不断提高,由半导体器件作为基础单元的系统和电路设备的应用范围越来越广。但在电路性能因集成度提高而逐步提升的同时,器件和电...
复杂网络拓扑结构损伤位置实时跟踪方法仿真
论文摘要对复杂网络拓扑结构损伤位置实时跟踪,能够有效对受损位置进行修复。针对传统方法存在跟踪时间长、准确率低的问题,提出基于自回归模型的复杂网络拓扑结构损伤位置实时跟踪方法。首...