闩锁效应论文

用于3.3 V电源静电防护的闩锁免疫LVTSCR
论文摘要传统LVTSCR的维持电压过低,器件容易受到闩锁效应的影响而无法正常关断。为了提高传统LVTSCR的维持电压,基于0.18μmBCD工艺,提出一种内嵌P型浅阱的新型LV...