![一种正电压控制的单片微波集成单刀双掷开关]()
论文摘要设计了一款GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）单片微波集成正电压控制开关。该电路设计采用片上集成隔直电容,对传统负电压控制开关的拓扑结构进行改进。针对PHEMT...
![铜仁：绿色发展引领工业转型升级]()
论文摘要2018年以来，我市全面启动实体经济三年攻坚行动，主攻新能源新材料、大健康等九大产业链，构建现代化产业体系，推动农业大市迈向工业强市。近年来，我市始终坚守发展和生态两条...
![GaAs晶体的扩散键合工艺优化]()
论文摘要对影响准相位匹配GaAs晶体的键合质量的因素进行了研究,通过对GaAs面损耗、界面损耗和体损耗的分析,优化了键合工艺和参数。通过在光胶前加入酸洗过程,去除GaAs晶片的...
![GaAs基通孔刻蚀的崩边形成机理研究]()
论文摘要在砷化镓(GaAs)集成无源器件(IntegratedPassiveDevice,IPD)的制作工艺中,通孔刻蚀是一道重要环节。蚀刻孔边缘的GaAs会被蚀刻,由此引发崩...
![一种太阳能电池及其背电极论文和设计-孙暮雪]()
全文摘要本实用新型实施例提供一种太阳能电池及其背电极，该背电极包括：上下设置的背金属层和背金属阻挡层，还包括：设置在所述背金属阻挡层和所述背金属层之间且能够与所述背金属层相接触...
![具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器论文和设计-内田俊一]()
全文摘要本实用新型提供一种具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，是将n型接触金属层以及磊晶结构分别形成于化合物半导体基板的一下表面以及一上表面。磊晶结构包括一单...
