深背部通孔论文

GaAs基通孔刻蚀的崩边形成机理研究
论文摘要在砷化镓(GaAs)集成无源器件(IntegratedPassiveDevice,IPD)的制作工艺中,通孔刻蚀是一道重要环节。蚀刻孔边缘的GaAs会被蚀刻,由此引发崩...