氢化锗烯论文

应变调控氢化锗烯中的分子掺杂
论文摘要理论与实验研究表明,全氢化的锗烯(锗烷)是带隙为1.59eV的非磁性半导体,而一侧半氢化的锗烯对应带隙为0.50eV的铁磁性半导体,其优异的电子特性有望在光电器件、传感...