• AlN晶体(110)面的偏振拉曼光谱研究

    AlN晶体(110)面的偏振拉曼光谱研究

    论文摘要氮化铝作为重要的Ⅲ-Ⅴ族超宽带(6.2ev)化合物半导体材料,具有高熔点、高热导率、高击穿场强等诸多优异的物理化学性质,在深紫外发光二极管(UVC-LED)、深紫外激光...