![镍与硅基n型锗薄膜欧姆接触的研究]()
论文摘要金属与Si基n-Ge形成的欧姆接触的比接触电阻高,是制约Si基n-Ge器件性能的关键因素之一,因此选用恰当的金属作为其欧姆接触的金属电极获得较低的比接触电阻极为重要。本...
![一种薄层透明紫外光电子器件论文和设计-蔡端俊]()
全文摘要本实用新型提供了一种薄层透明紫外光电子器件，包括：衬底、设置在衬底上的单电导层、设置在单电导层上的势垒绝缘层、设置在势垒绝缘层上的透明电极层、以及与所述单电导层电连接的...
![三维势垒限制的硅基杂质原子晶体管及其制备方法论文和设计-张晓迪]()
全文摘要一种三维势垒限制的硅基杂质原子晶体管及其制备方法，该杂质原子晶体管至少包括：一源区硅电导台面与一漏区硅电导台面，对称分布于一SOI基片之上；一硅纳米线结构，位于SOI基...
![一种新型增强型半导体器件论文和设计-刘扬]()
全文摘要本实用新型涉及一种新型增强型半导体器件。该器件包括衬底、半导体外延层、栅极、源极和漏极。外延层包括氮化物成核层、氮化物应力缓冲层、氮化物沟道层、一次外延氮化物势垒层、p...
![一种平面结构的VCSEL芯片论文和设计-赵炆兼]()
全文摘要本实用新型公开了一种平面结构的VCSEL芯片，在VCSEL芯片的欧姆接触层一侧，形成有主氧化孔和辅助氧化孔，进而通过主氧化孔和辅助氧化孔能够对限制层进行氧化处理，形成对...
![一种宽温度范围的DFB激光器论文和设计-单智发]()
全文摘要本实用新型提供一种宽温度范围的DFB激光器，该DFB激光器的外延层结构包括非InP基板，所述非InP基板上依次层叠设置有N型连接层、光栅掩埋层、N型光栅层、N型限制层、...
![一种增强型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构论文和设计-李迈克]()
全文摘要本实用新型提供一种增强型AlGaN\/GaNMOS‑HEMT器件结构，包括Al2O3衬底，顺序层叠于Al2O3衬底上的第一本征GaN缓冲层、第二本征GaN缓冲层、GaN...
