论文摘要利用原位透射电子显微术,研究了单根GaN纳米线I-V曲线与热效应、电击穿和压电效应的关系.在透射电子显微镜内构建一个基于GaN纳米线的金属-半导体-金属结构,测量单根纳...
论文摘要一维纳米材料的自愈合对于工业应用有着重要的意义,而晶体SiC纳米线则是一种拥有优异性能一维纳米材料。基于分子动力学方法,采用Tersoff势函数,对半径25?,长150...
论文摘要采用Ar等离子体处理GaAs纳米线,通过光致发光测试研究了等离子体偏压功率对GaAs纳米线发光性能的影响。在不同测试温度和不同激发功率密度下,研究了发光光谱各个发光峰的...
论文摘要传统负载型金催化剂常以氧化物或活性炭作为载体,很少以金属磷酸盐作为载体.本文考察了具有不同晶相和形貌的LaPO4负载金催化剂的CO氧化.采用沉淀法制备由纳米颗粒和短棒组...
论文摘要低维半导体材料因其超常的物理性能而受到了广泛关注和研究。本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,利用金作催化剂制备了InAs/GaAs横向异质结构纳米线,并讨...
论文摘要国家和地方政府对于重金属污水的治理,一直给予高度重视。目前,重金属污染废水治理方法有十几种,其中吸附法简便、实用,应用最多。吸附法在应用中主要受限于材料(吸附剂)的吸附...
论文摘要随着电子工业的迅速发展,基于硅材料设计的电子元器件的特征长度已经趋于物理极限,为了延续摩尔定律,微电子器件特征尺寸已进入纳米量级,从而使得人们寻求更低维度的半导体新材料...
全文摘要本实用新型提供了一种薄层透明紫外光电子器件,包括:衬底、设置在衬底上的单电导层、设置在单电导层上的势垒绝缘层、设置在势垒绝缘层上的透明电极层、以及与所述单电导层电连接的...
全文摘要一种三维势垒限制的硅基杂质原子晶体管及其制备方法,该杂质原子晶体管至少包括:一源区硅电导台面与一漏区硅电导台面,对称分布于一SOI基片之上;一硅纳米线结构,位于SOI基...
全文摘要本实用新型涉及触摸屏领域,尤其涉及一种电容触摸屏及终端设备。本实用新型的电容触摸屏包括基材和涂布在基材上的银纳米线导电层,银纳米线导电层包括可视区和绑定区,可视区上贴合...
全文摘要本实用新型公开了一种人工光合作用系统。所述人工光合作用系统包括相互电连接的光阳极和光阴极,所述光阳极、光阴极分别与第一反应液、第二反应液配合,第一反应液与第二反应液之间...
全文摘要本实用新型公开了一种用于自组织锗硅纳米线的测量装置,该装置包括:量子点和测量电路;其中,所述测量电路包括谐振腔,且所述谐振腔与所述量子点的栅极耦合。本实用新型中,量子点...