磷化锡论文

2D SnP3:具有高载流子迁移率和光吸收率的范德瓦尔斯晶体（英文）
论文摘要本文基于第一性原理计算,预测了二维SnP3层作为新型半导体材料,具有0.71eV（单层）和1.03eV（双层）的间接带隙,这与体结构的金属特性不同.值得注意的是,2DS...