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HgTe/CdTe量子阱中自旋拓扑态的退相干效应
论文摘要HgTe/CdTe量子阱是一种特殊的二维拓扑材料,其中的量子自旋霍尔效应在自旋电子器件应用方面极有潜力."工"字形四端口体系纵向非局域电阻阻值为0....