量子阱论文

论文摘要这篇文章主要是探讨不同量子阱系统对于非线性光学性质的影响。文章用三个章节分别阐述了质量随位置变化的量子阱,半指数量子阱以及短程无底指数势阱对于不同非线性光学特性的影响。...

论文摘要以硅基材料为基底,外延生长20周期Si/Si0.65Ge0.35多量子阱结构的雪崩光电二极管（APD）探测器,分析了硅基量子阱结构的APD探测器能带对光子探测波长和响应...

论文摘要随着全球环保意识的不断增强,含汞的灯具将在2020年左右逐渐退出历史的舞台,最有潜力取而代之的则是AlGaN基深紫外LED。它在照明、杀菌消毒、环境保护、空气水净化以及...

论文摘要红外探测技术是人眼在更广阔电磁波段的补充和扩展,可以帮助人类探索未知宇宙,观察“黑暗”世界。从诞生至今,红外探测技术在各个领域都发挥着重要作用。其中,短波红外技术由于具...

论文摘要半导体低维异质结构早已成为构筑高性能半导体发光器件的基石,该领域的前沿创新研究经久不衰地持续了几十年,但研究热点已从早期的二维的量子阱、超晶格转变至一维的量子线（或更广...

论文摘要太赫兹成像器件是太赫兹技术应用的关键之一.研制一种由分子束外延技术堆叠生长太赫兹量子阱探测器和近红外发光二极管制成的THz频率上转换成像器件,其45°入射角耦合器件峰值...

全文摘要本发明实施例提供了一种太赫兹波发生器。该发生器包括衬底、N‑型DBR反射镜、至少两个激光发射组件、钝化层、N‑型电极、P‑型电极、光栅层和非线性晶体；激光发射组件用于发...

全文摘要本实用新型涉及一种DFB激光器外延结构，其包括其包括自下而上依次层叠设置的衬底、光栅层、缓冲层、限制层、下波导层、量子阱、上波导层、上限制层、过渡层、腐蚀阻挡层、包层、...

全文摘要一种边射型半导体激光器芯片结构，包括InGaAsP量子阱层、InP包覆层、金属接触层铟镓砷层和P型掺杂InP层；InGaAsP量子阱层的一端设置有InP包覆层生长面，I...

全文摘要一种可关断的连续调谐半导体激光器芯片结构，包括基板、分布式反馈‑多量子阱、电吸收‑多量子阱、光栅层、电隔离区和包层；基板的上表面并排设置有分布式反馈‑多量子阱和电吸收‑...

全文摘要本实用新型提供的一种用于掩埋型异质结激光器的电流限制结构，包括台状波导结构，所述台状波导结构的顶部为直柱状结构，且其顶部的表面形成有掩膜层；该电流限制结构的台状波导结构...

全文摘要本发明公开了发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管制作领域。在多量子阱层的InGaN阱层与GaN垒层之间插入包括n个子层的GaN插入层。并控制GaN插入层中与InG...

全文摘要本实用新型实施例公开了一种量子点发光二极管，包括：基底；形成在基底上的阳极；形成在阳极上的空穴传输层；形成在空穴传输层上的多量子阱层，多量子阱层包括至少两层势垒层和比势...

全文摘要本实用新型提供一种宽温度范围的DFB激光器，该DFB激光器的外延层结构包括非InP基板，所述非InP基板上依次层叠设置有N型连接层、光栅掩埋层、N型光栅层、N型限制层、...