宽带隙论文

第一性原理研究C3N4、SiC2N4、Si2CN4和Si3N4晶体的电子性质
论文摘要基于第一性原理研究C3N4、SiC2N4、Si2CN4和Si3N4这类由C原子不断被Si原子替换所形成宽带隙的碳氮硅晶体材料的晶体结构和电子结构之间的关系,研究分析可知...