晶片缺陷论文

籽晶偏向对高纯半绝缘4H-SiC晶体影响的研究
论文摘要采用PVT法得到高纯4H-SiC体单晶。研究了0°、1°、4°晶体对晶体台阶流、晶体结晶质量、晶体缺陷、晶体电学性能的影响;晶体台阶流采用奥林巴斯显微镜进行表征,晶体缺...