键长再分布论文

表面修饰对硅锗合金纳米线的内部键长分布及能带影响的机理研究
论文摘要采用密度泛函第一性原理方法,研究了三种不同官能团修饰对硅锗<111>方向纳米线内部键长分布的不均匀性及能带影响,计算结果表明CH3修饰加剧了键长分布不均性,...