互补金属氧化物半导体论文

热型ALD技术制备镍薄膜及其金属硅化物
论文摘要金属硅化物材料具有较低的接触电阻,并且与硅材料有较好的兼容性,所以在互补金属氧化物半导体（CMOS）器件中被看作是重要的电极材料。形成镍金属硅化物的关键是镍金属单质的淀...