![平面微型超级电容器石墨烯电极制备与表征]()
论文摘要为了研究化学气相沉积法（CVD）制备石墨烯电极性能,通过对CVD工艺参数的改进,成功地制备出了符合全固态平面微型超级电容器离子传输机制所需要的石墨烯薄膜电极。对比相同生...
![流化床-化学气相沉积技术在先进核燃料制备中的应用进展]()
论文摘要流化床-化学气相沉积（FB-CVD）技术是化工流化床技术和材料化学气相沉积制备技术的交叉耦合,兼有流化床处理量大、传热快、温度均匀以及化学气相沉积温度调节范围广、产物丰...
![汽车无损检测X射线源钼铼合金零件加工技术研究]()
论文摘要在汽车领域中X射线无损检测是应用比较广泛的技术,阴极固定件是X射线源的关键零件,材料为钼铼合金。针对目前阴极固定件加工质量低、成本高和效率低等特点,首先研究钼铼合金的材...
![超纯石英玻璃用二氧化硅的环保型制备工艺研究]()
论文摘要低缺陷的超纯石英玻璃在航空航天、激光武器装备和半导体光电材料领域具有广泛的应用。然而,受到我国合成石英原料的结构缺陷和杂质缺陷制约,我国在超高纯低缺陷的石英玻璃材料制备...
![原位碳纳米管/铝基复合材料的制备与力学性能]()
论文摘要采用片状粉末冶金技术制备碳纳米管/铝（CNT/Al）复合材料,并研究其力学性能。首先,通过聚合物热解化学气相沉积法（PP-CVD）在微纳铝片表面原位生长碳纳米管制备CN...
![SnO2纳米线的制备及光电化学水分解性能研究]()
论文摘要根据气液固（VLS）生长机制,利用化学气相沉积设备,以锡粉为源,Ar和O2混合气体为载气,当生长温度达到800℃在硅衬底表面生长出长度达数十微米的SnO2纳米线.光电催...
![半导体淀积工艺及其设备技术研究]()
论文摘要薄膜工艺是半导体工艺重要组成部分,较广泛的采用物理气相沉积和化学气相沉积方法。通常把PECVD才直接称为淀积工艺,其工艺受多方面因素影响,通过工艺和设备技术的研究,提高...
![Bi2Te3薄膜的制备及热电性能研究]()
论文摘要利用化学沉积技术在云母衬底上制备Bi2Te3薄膜,采用光学显微镜研究不同的制备条件对Bi2Te3薄膜样品形貌的影响,并使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪和Seeb...
![单层二硫化钼的制备及其晶界的原位光学表征]()
论文摘要近年来,新兴的二维过渡金属硫族化合物(TMDs)材料一直是研究的热点。其中,二硫化钼(MoS2)的优异性能引起了人们的广泛关注。TMDs材料制备方法多样,然而所制备的材...
![化学气相沉积石墨烯薄膜的洁净转移]()
论文摘要石墨烯因其优异的性能在很多领域具有广阔的应用前景.目前石墨烯薄膜主要是以铜作为催化基底,通过化学气相沉积法制备.这种方法制备的石墨烯薄膜需要被转移到目标基底上进行后续应...
![双层石墨烯的化学气相沉积制备研究综述]()
论文摘要石墨烯具有很多优异的性质,是非常理想的硅晶体替代材料,有可能彻底改变现在人们的生活,引发新一轮的科技革命。但是单层石墨烯是一种零带隙的半金属,在半导体电子器件方面受到很...
![硼烯化学合成进展与展望]()
论文摘要硼烯是由硼原子构成的单原子层厚的二维材料,具有丰富的化学和物理性质。本文集中介绍近年来硼烯在合成方面的理论与实验研究进展,重点分析基底、生长温度、生长前驱物等因素对硼成...
![纳米八面体形FeP@PC的制备及催化析氢性能]()
论文摘要以UIO-66为载体,经过FeCl3化学气相沉积、原位碳化和磷化及HF刻蚀等步骤制备了多孔FeP@PC催化剂.利用X射线衍射仪、场发射透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪...
![硫辅助填充高压Fe5C2/Fe7C3单晶相的少壁碳纳米管研究（英文）]()
论文摘要硫可以用作生长促进剂制备具有不同形态的碳纳米结构,例如:Y型和海胆状结构,单壁碳纳米管（SWCNTs）,双壁碳纳米管薄膜等.此外,研究表明低浓度的硫和低气体流量可实现碳...
![间歇式推舟-CVD法制备竹节状氮化硼纳米管]()
论文摘要以平均粒径在250nm左右的超细碳化硼粉为前驱体,控制反应气氛为氨气,在1150～1250℃下利用间歇式推舟-化学气相沉积法制备竹节状氮化硼纳米管（BNNTs）。采用扫...
![高质量单层MoS2的APCVD生长及光电性能研究]()
论文摘要单层二硫化钼（MoS2）具有直接带隙和优异的光电性能,在场效应晶体管、太阳能电池、光电探测器和气体传感器等领域有潜在的应用前景。本文采取常压化学气相沉积（APCVD）的...
![含硅量子点的碳化硅薄膜制备工艺和微结构表征研究]()
论文摘要采用等离子体增强化学气相沉积法制备了氢化非晶富硅碳化硅薄膜。通过在高温750℃,900℃,1050℃,和1200℃进行热退火处理,薄膜样品晶化出硅量子点。利用傅立叶红外...
![石墨烯在GaN表面的直接制备及其在GaN-LED中的应用研究]()
论文摘要石墨烯具有优良的光电特性,它能够替代传统的ITO材料用作GaN-LED的透明导电层。为了使上述应用实现工业化生产,利用热壁CVD研究了石墨烯在GaN表面直接生长的最佳条...
![胍基硅前驱体的合成及应用]()
论文摘要以胍基取代的二甲基二氯硅烷与胺基锂反应合成了3种硅基化合物,使用核磁共振、高分辨质谱、元素分析对化合物结构进行了表征,通过热重分析（TGA）研究了化合物的热稳定性、挥发...
![SiO2@C核壳结构复合材料的制备及表征]()
论文摘要以SiO2气凝胶粉末和乙炔气体为原料,通过化学气相沉积的方法,在SiO2气凝胶的表面包覆碳层形成SiO2@C核壳结构复合材料。采用扫描电子显微镜观察了SiO2包覆碳前后...
