光电化学刻蚀法论文

论文摘要采用光电化学刻蚀方法,在电阻率为4～5kΩ·cm的n-型[100]单晶硅片上制备了厚壁有序宏孔硅阵列。通过对比有限元法模拟诱导坑周围的电场分布,研究了刻蚀参数（电解液、...