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三硒化二铟纳米线的尺寸依赖性光电导研究
论文摘要利用气-液-固(VLS)生长机理合成出高质量的单晶三硒化二铟(In2Se3)纳米线,所合成的In2Se3纳米线的直径分布在20~200nm范围内,长度为几十微米.采用标...