分子束外延论文

论文摘要利用分子束外延技术在GaAs衬底上生长InAs量子点,采用梯度生长法实现了量子点的成岛参数和量子点密度精确可控。通过在GaAs衬底上生长InGaAs组分渐变缓冲层进而自...

论文摘要采用正交试验方法优化了Si基碲镉汞分子束外延工艺参数,以缺陷密度和缺陷尺度为评判标准。采用三因素三水平正交试验方法,分别使用生长温度、Hg/Te比、生长速率三个因素作为...

论文摘要红外探测技术是人眼在更广阔电磁波段的补充和扩展,可以帮助人类探索未知宇宙,观察“黑暗”世界。从诞生至今,红外探测技术在各个领域都发挥着重要作用。其中,短波红外技术由于具...

论文摘要随着材料维度的降低,表面、界面处的电子结构在各类新奇物性中往往起着至关重要的作用。低维材料与衬底界面处的相互作用将对材料的性质产生巨大影响。因此,异质结界面工程是调控低...

论文摘要由于电子间的关联效应,强关联氧化物具有许多新奇的物理性质,如金属-绝缘转变、超导转变、磁有序等。作为典型的二元过渡金属氧化物,二氧化钒（VO2）在临界相变温度68℃附近...

论文摘要文章基于分子束外延法（molecularbeamepitaxy,MBE）制备高质量的硒化铋（Bi2Se3）薄膜,运用反射式高能电子衍射仪（reflectionhigh-...

论文摘要超导电性因其丰富的物理性质和潜在的应用价值已成为21世纪物理学中备受关注的前沿课题之一.本文从超导物理的发展历程与研究现状出发,介绍了基于异质外延薄膜界面超导电性的研究...

论文摘要采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10289cm2/（V·s）。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器...