二氧化铪论文

Ce掺杂HfO2薄膜的化学溶液法制备及其铁电性能研究
论文摘要氧化铪基薄膜与金属氧化物半导体（CMOS）工艺高度兼容,具有良好的可微缩性和保持性能,其铁电性的发现引起了科学家们的广泛关注.该文通过化学溶液法在铂（Pt）衬底上制备5...
热ALD和等离子增强ALD沉积HfO2薄膜的比较（英文）
论文摘要以四（甲乙胺）铪（TEMAHf）作为前驱体,采用热原子层沉积（TALD）技术和等离子体增强原子层沉积（PEALD）技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪（HfO2）薄膜。分别研...