氮化镓论文

论文摘要在连续导通模式下,图腾柱无桥拓扑结构功率因数校正器(PFC)的损耗非常大,导致拓扑结构的效率降低,在输入电压过零点处电流容易发生畸变。针对此问题,提出了一种改进的过零点...

论文摘要继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后,半导体材料出现了第三代以氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料,其特点包括临界击穿电场高、饱和电子速度高、电子密度高、电子迁移率...

论文摘要随着信息技术、计算机技术、5G商业应用、大数据中心建设的迅猛发展,对高功率、高效率的通信电源存在巨大需求。氮化镓(Galliumnitride)器件具有高开关速度、低导...

全文摘要本实用新型公开了一种AC‑DC适配器，包括市电整流滤波电路、压电变压器、高频振荡及稳压保护电路、驱动及开关电路、次级整流滤波电路和电源电路；市电整流滤波电路用于对市电进...

全文摘要本实用新型公开了一种助熔剂法连续生长氮化物体单晶用原料补充机构及系统。所述补充机构包括：用以容置待补充生长原料的承装密封腔、导流管路、导流部件及压力供给组件，所述承装密...

全文摘要本公开的实施例涉及高电子迁移率晶体管。一种高电子迁移率晶体管，包括：半导体异质结构；第一掺杂栅极区域，在异质结构之上延伸并且包含P型的掺杂剂杂质；第二掺杂栅极区域，具有...

全文摘要本实用新型公开了一种陶瓷衬底的氮化镓芯片，包括芯片本体和陶瓷垫片，陶瓷垫片的顶部左右两侧均设有插槽，插槽的底壁设有螺孔，螺孔内螺接有螺柱，螺柱的顶端焊接有弹簧，芯片本体...

全文摘要本实用新型公开了一种硅衬底的氮化镓芯片，包括氮化镓芯片本体，氮化镓芯片本体由氮化物半导体层、散热衬底和保护层组成，氮化物半导体层位于散热衬底和保护层之间，氮化物半导体层...