氮化硅涂层论文

沉积温度及热处理对低压化学气相沉积氮化硅涂层的影响（英文）
论文摘要以SiCl4-NH3-H2为前驱体,在750～1250℃范围内通过低压化学气相沉积技术于碳纤维布上制备氮化硅涂层,系统研究了沉积温度对氮化硅涂层的生长动力学、形貌、化学...