氮化硅薄膜论文

ICP-CVD设备低温制备低应力氮化硅薄膜工艺的探索
论文摘要制备低应力的氮化硅薄膜是微机械系统和集成电路中非常重要的工艺。在温度不高于80℃的条件下,采用ICP-CVD设备,利用硅烷和氮气作为前驱体沉积氮化硅介质薄膜。研究了沉积...
二氯二氢硅综合应用研究进展
论文摘要详述了二氯二氢硅与四氯化硅进行反歧化反应制备三氯氢硅技术的研究进展,简述了二氯二氢硅在制备多晶硅、硅烷气、多晶硅薄膜、氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜中的应用。论文目录1二氯二...