论文摘要分别采用溶液法和磁控溅射法制备了TiO2薄膜。其中对采用磁控溅射法制备的样品进行了退火。用扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的表面形貌,表征结果发现,与溶液法制备的Ti...
论文摘要提出了一种在TiO2纳米管(TNT)阵列形成之前将贵金属纳米粒子作为掺杂剂引入的预掺杂法,该方法可以有效地避免传统掺杂方法中贵金属粒子堵塞纳米管管口的问题。首先采用磁控...
论文摘要石墨烯具有优异的电学、光学、力学等性能,而作为宽带隙半导体材料的氧化锌具有良好的光致发光特性、热稳定性和光催化性等,因此氧化锌/石墨烯复合材料在储能、光电设备、光催化剂...
论文摘要采用磁控溅射法,用In2O3靶、Ga2O3靶、Mg靶在Si片上制备出InxGa1-xN薄膜和Mg掺杂的InxGa1-xN薄膜。薄膜中的In组分随着Mg的掺杂而减少,因为...
论文摘要氧化铜作为环保、无毒、廉价的直接带隙半导体材料,在诸多领域尤其太阳能电池领域有美好的应用前景。本研究采用直流磁控溅射法制备了氧化铜(CuO)及掺铟氧化铜(CuO:In)...
论文摘要在FTO导电玻璃上采用磁控溅射法和阳极氧化法制备高度透明TiO2纳米管(TNT)阵列薄膜,然后溅射沉积Pt纳米粒子,退火后获得半透明负载Pt的TiO2纳米管阵列薄膜(T...