垂直梯度凝固法论文

VGF法SI-GaAs单晶生长工艺与固液界面形状的研究
论文摘要阐述了VGF法SI-GaAs单晶生长工艺中非平坦形固液界面形成的原因,分析了由此导致的单晶尾部径向电阻率不均匀性分布及单晶可利用率低的原因。在等径生长阶段引入VB走车工...