![GaN基半导体器件结构论文和设计]()
全文摘要本实用新型提供一种GaN基半导体器件结构，GaN基半导体器件结构包括：GaN层，GaN层包括多个间隔排布的GaN凸起，相邻的GaN凸起之间包括凹槽；绝缘层，绝缘层覆盖凹...
![大角度出光光源及面光源模组论文和设计-王书昶]()
全文摘要本实用新型涉及一种大角度出光光源、面光源模组及出光光源的制备方法，大角度出光光源包括LED芯片，LED芯片为倒装结构，LED芯片包括自下而上依次设置的P‑GaN层、发光...
![高电子迁移率晶体管论文和设计-F·尤克拉诺]()
全文摘要本公开的实施例涉及高电子迁移率晶体管。一种高电子迁移率晶体管，包括：半导体异质结构；第一掺杂栅极区域，在异质结构之上延伸并且包含P型的掺杂剂杂质；第二掺杂栅极区域，具有...
![发光二极管外延片的制备方法论文和设计-从颖]()
全文摘要本发明公开了发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管制作领域。在多量子阱层的InGaN阱层与GaN垒层之间插入包括n个子层的GaN插入层。并控制GaN插入层中与InG...
![一种基于GAN的COLTRIMS图像修复方法及装置论文和设计-杨玮枫]()
全文摘要本公开提供一种基于GAN的COLTRIMS图像修复方法及装置，采用生成对抗网络(GAN)架构,通过训练得到从短时间获取的COLTRIMS的模糊动量谱图像与长时间获取的清...
![一种增强型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构论文和设计-李迈克]()
全文摘要本实用新型提供一种增强型AlGaN\/GaNMOS‑HEMT器件结构，包括Al2O3衬底，顺序层叠于Al2O3衬底上的第一本征GaN缓冲层、第二本征GaN缓冲层、GaN...
![一种台面型AlGaN/GaN异质结双极晶体管器件论文和设计-李迈克]()
全文摘要本实用新型提供一种台面型AlGaN\/GaN异质结双极晶体管器件，包括Al2O3衬底，顺序层叠于Al2O3衬底上的第一本征GaN缓冲层、第二本征GaN缓冲层、GaN衬底...
