石墨烯/硅光电探测器的I-V及C-V特性

论文摘要

设计并制备了基于石墨烯/n型硅肖特基结的光电探测器,并从能带角度研究和分析了其I-V及C-V特性。结果表明,石墨烯/氮化硅/硅（金属-绝缘层-半导体）电容器对器件的I-V及C-V特性有较大影响。在808nm近红外光的照射下,器件反向电流和正向电流大小接近,归因于氮化硅/硅界面堆积的光生空穴向石墨烯/硅肖特基结的扩散,器件光响应度为0.26A/W。基于热发射模型从I-V暗电流曲线提取的肖特基势垒高度及理想因子分别为0.859eV和2.3。利用肖特基二极管耗尽层电容公式从C-2-V曲线提取的势垒高度随着频率的增加而增加并趋于稳定在0.82eV。由于界面态的影响,石墨烯/硅肖特基结耗尽层宽度随频率增加而增加,而硅施主原子的掺杂浓度及器件电容则随频率增加而减小。

论文目录

• 0 引言
• 1 实验
• 2 结果与讨论
•   2.1 Gr/Si光电探测器的I-V分析
•   2.2 Gr/Si光电探测器的C-V分析
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 方昕宇,陈俊

关键词: 石墨烯,光电探测器,能带分析,电容器,肖特基势垒高度,界面态

来源: 光子学报 2019年12期

年度: 2019

分类: 基础科学,信息科技

专业: 无线电电子学

单位: 苏州大学电子信息学院

基金: 国家自然科学基金(No.61774108)~~

分类号: TN36

页码: 29-35

总页数: 7

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