SiC MOSFET驱动及保护电路设计

论文摘要

SiC MOSFET器件具有高耐压、低导通电阻、高频等优良特性,工业应用中具有明显优势,发展快速。本文首先阐述了SiC MOSFET主要特性,分析了驱动电路的特点,并给出了基于分立器件的驱动及保护电路设计。基于CREE公司最新第三代器件,设计了驱动电路,并通过双脉冲电路及桥臂直通电路测试验证所设计的SiC器件门极驱动电路参数及短路保护电路参数的准确性和合理性。

论文目录

• 0 引 言
• 1 SiC MOSFET的基本特性
•   1.1 门极驱动电压
•   1.2 Vds/Id特性
•   1.3 低开关损耗
• 2 SiC MOSFET的驱动电路设计
•   2.1 信号隔离电路设计
•   2.2 驱动放大电路设计
•   2.3 保护电路设计
• 3 实验结果
• 4 结 语

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 柳舟洲

关键词: 门极参数,双脉冲测试,桥臂直通短路

来源: 微电机 2019年12期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,信息科技

专业: 无线电电子学

单位: 西安微电机研究所

分类号: TN386

DOI: 10.15934/j.cnki.micromotors.2019.12.014

页码: 70-73

总页数: 4

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