CVD-ZnS胞状生长现象对材料结构与性能的影响

论文摘要

采用化学气相沉积法（CVD）制备大尺寸Zn S晶体（CVD-ZnS）,利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射分析对CVD-ZnS内部的胞状结构进行表征,表明胞状生长现象能改变CVD-ZnS材料内部的晶粒生长方向、分布方式,但对材料内部的物相、元素分布并未造成显著影响;通过对胞状物密集区的光学均匀性检测,分别为2. 71×10-5和2. 85×10-5,均方根值分别为6. 46×10-6和4. 98×10-6,正常区域的样品光学均匀性为9. 53×10-6,均方根值为1. 51×10-6,表明胞状物的存在会降低CVD-ZnS材料的光学均匀性;采用三点弯曲法测试材料弯曲强度,四组弯曲强度数据表明CVD-ZnS正常区的弯曲强度明显高于CVD-ZnS胞状物密集区。

论文目录

• 1 引言
• 2 实验
•   2.1 CVD-ZnS制备实验
•   2.2 样品制备与表征
• 3 结果与讨论
•   3.1 胞状生长现象结构分析
•     3.1.1 胞状生长现象宏观形貌
•     3.1.2 胞状物晶体结构分析
•   3.2 胞状生长现象对材料性能影响
•     3.2.1 胞状生长现象对材料光学性能影响
•     3.2.2 胞状生长现象对材料力学性能影响
• 4 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 杨海,魏乃光,杨德雨,李红卫,霍承松,黎建明,李冬旭,杨建纯,史晶晶,郭立

关键词: 胞状生长,晶体结构,材料性能

来源: 人工晶体学报 2019年07期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 材料科学

单位: 北京有色金属研究总院有研国晶辉新材料有限公司,北京有色金属研究总院有研新材料股份有限公司

分类号: TB30

DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.07.009

页码: 1233-1239

总页数: 7

文件大小: 465K

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