用于3.3 V电源静电防护的闩锁免疫LVTSCR

论文摘要

传统LVTSCR的维持电压过低,器件容易受到闩锁效应的影响而无法正常关断。为了提高传统LVTSCR的维持电压,基于0.18μm BCD工艺,提出一种内嵌P型浅阱的新型LVTSCR （EP-LVTSCR）。采用Sentaurus TCAD,对提出的器件进行建模和测试。结果表明,该EP-LVTSCR的维持电压从传统LVTSCR的1.52 V提升到3.85 V,具有免疫闩锁效应的能力,可应用于3.3 V电源的ESD防护。

论文目录

• 0 引 言
• 1 传统LVTSCR
• 2 提出的EP-LVTSCR
• 3 TCAD仿真与分析
•   3.1 仿真结果
•   3.2 电流路径的变化
•   3.3 P浅阱对发射极注入效率的影响
•   3.4 内部电场的变化
• 4 设计优化及关键尺寸影响
• 5 结 论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 杨波,杨潇楠,陈磊,陈瑞博,李浩亮

关键词: 静电放电,维持电压,闩锁效应,仿真

来源: 微电子学 2019年06期

年度: 2019

分类: 信息科技

专业: 无线电电子学

单位: 郑州大学信息工程学院

基金: 国家自然科学基金资助项目(61874099)

分类号: TN432

DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.180545

页码: 838-841+846

总页数: 5

文件大小: 1192K

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