NH3等离子体钝化对Al2O3/SiGe界面的影响

论文摘要

研究了不同条件的非原位NH3等离子体钝化对Al2O3/SiGe/Si结构界面组分的影响。在p型Si（100）衬底上外延一层30 nm厚的应变Si0.7Ge0.3,采用双层Al2O3结构,第一层1 nm厚的Al2O3薄膜为保护层,之后使用非原位NH3等离子体分别在300和400℃下对Al2O3/SiGe界面进行不同时间和功率的钝化处理,形成硅氮化物（SiNxOy）和锗氮化物（GeNxOy）的界面层。通过X射线光电子能谱（XPS）分析表面的物质成分,结果表明NH3等离子体钝化在界面处存在选择性氮化,更倾向于与Si结合从而抑制Ge形成高价态,这种选择性会随着时间的增加、功率的增高和温度的升高变得更加明显。

论文目录

• 0 引言
• 1 实验
• 2 结果与讨论
•   2.1 不同时间NH3等离子体钝化对界面组分的影响
•   2.2 不同温度和功率NH3等离子体钝化处理对界面组分的影响
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 朱轩民,张静,马雪丽,李晓婷,闫江,李永亮,王文武

关键词: 界面钝化,等离子体,选择性

来源: 半导体技术 2019年06期

年度: 2019

分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备

单位: 北方工业大学信息学院,中国科学院微电子研究所

基金: 国家自然科学基金资助项目(61674003)

分类号: TB383.2

DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.06.008

页码: 444-448+463

总页数: 6

文件大小: 1584K

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