0.18μm CMOS高线性低噪声混频器设计

论文摘要

采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于超外差接收机的高线性度、低噪声系数下变频混频器。基于经典基尔伯特混频器架构,该混频器采用共栅结构跨导级提高线性度,引入电容交叉耦合技术增加跨导增益及降低噪声系数,并通过电流注入技术同时降低开关级和跨导级的噪声贡献。在1.8 V电源电压下,后仿真结果显示,该混频器消耗功耗12 mW,取得噪声系数10.75 dB,输入1 dB压缩点-1.45 dBm,达到了预期的高线性度、低噪声系数性能要求。该混频器占用面积为650μm×655μm。

论文目录

• 1 电路设计
•   1.1 混频器电路结构
•   1.2 跨导级设计
•   1.3 开关级设计
•   1.4 负载及偏置电路设计
• 2 版图设计
• 3 后仿真结果
• 4 小结本文

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 张照锋,徐结海,张长春

关键词: 混频器,线性度,噪声系数,电容交叉耦合,电流注入

来源: 电子器件 2019年06期

年度: 2019

分类: 信息科技

专业: 无线电电子学

单位: 南京信息职业技术学院,南京邮电大学

基金: 南京信息职业技术学院开放基金项目(KF20160101)

分类号: TN773

页码: 1362-1366

总页数: 5

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