采用最大修改字节重定向写入策略的相变存储器延寿方法

论文摘要

现代存储系统一般是由多个存储芯片通过并列数据线、共享地址线的方式构成的.因此,在多片相变存储芯片并联构成的内存系统中,如果多个芯片间的磨损存在较大差异,那么该系统的寿命将会因短板效应而受到影响.模拟实验和数据分析均确认了这一问题在实际系统中的存在.在此基础上,提出了一种混合内存设计,用于延长相变内存的寿命.该方法引入了一种动态识别机制,可以在每次写入时识别遭受最多磨损的相变存储芯片,并将该芯片未来的写入转移到另一个长寿命的存储芯片中.这一措施可以减少对相变存储芯片的总写入量,并缩小相变存储芯片间的写入量差别.实验表明:使用RMB设计的内存系统的寿命最多可达无任何寿命延长方法时的7.9倍,可达使用经典方法PRES的5.14倍.

论文目录

• 1 相关工作
• 2 研究动机
•   2.1 内存的逻辑结构与物理结构
•   2.2 问题的提出
•   2.3 片间磨损局部性
• 3 RMB方法的设计与分析
•   3.1 基本思想
•   3.2 RMB方法的结构
•   3.3 读写过程
•   3.4 写入过程实例
• 4 性能评估
•   4.1 PCM-MRAM混合内存结构
•   4.2 测试配置
•   4.3 与经典磨损均衡方法的对比
•   4.4 与经典写减少方法的对比
•   4.5 实现代价分析
•   4.6 读写时间影响分析
• 5 对RMB方法的进一步讨论
• 6 结 论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 高鹏,汪东升,王海霞

关键词: 相变存储器,片间磨损局部性,写减少算法,磨损均衡算法,混合内存

来源: 计算机研究与发展 2019年12期

年度: 2019

分类: 信息科技

专业: 计算机硬件技术

单位: 北京大学工学院,清华大学计算机系,北京信息科学与技术国家研究中心(清华大学)

基金: 国家重点研发计划项目(2016YFB1000303),广东省重点研发计划项目(2018B010115002)~~

分类号: TP333

页码: 2733-2743

总页数: 11

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