4-Mask工艺Cu腐蚀分析及改善研究

论文摘要

针对4-Mask工艺铜数据线腐蚀造成的锯齿状不良现象进行系统研究,发现铜腐蚀发生的工艺步骤和机理,并找到有效的措施。首先,通过显微镜对每道刻蚀工艺后铜数据线形貌进行观测,确定铜腐蚀发生的工艺步骤。接着,通过扫描电子显微镜和X射线电子能谱测量腐蚀生产物成分,对腐蚀机理提出合理解释。最后在铜腐蚀发生机理基础上,提出有效的改善措施。铜腐蚀是在有源半导体层干刻和光刻胶的灰化综合作用下发生,其主要产物为氧化铜、氯化铜。通过先进行灰化工艺然后进行有源半导体层干刻的工艺措施,在铜数据线两侧形成氧化铜保护膜,可以彻底改善铜腐蚀。改善措施可以解决铜腐蚀的问题,彻底消除铜数据线锯齿状不良。

论文目录

• 1 引言
• 2 铜腐蚀原因分析及机理研究
•   2.1 不良现象确认
•   2.2 机理研究
• 3 改善措施及效果
• 4 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 白金超,李小龙,韩皓,张向蒙,左天宇,吴祖谋,丁向前,宋勇志,陈维涛

关键词: 铜腐蚀,线不良

来源: 液晶与显示 2019年02期

年度: 2019

分类: 基础科学,信息科技,工程科技Ⅰ辑

专业: 金属学及金属工艺

单位: 北京京东方显示技术有限公司

分类号: TG172

页码: 125-129

总页数: 5

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