相变存储材料及其相变机制研究进展

论文摘要

介绍了相变存储材料的工作原理与其工作性能之间的对应关系,相变存储材料的开发与材料性能要求密不可分,在分析当前主流相变存储材料Ge2Sb2Te5的优点与不足的基础上,指出无Te富Sb为未来相变存储材料体系的研究方向。控制相变行为是实现相变存储技术商业化的关键,材料的微观结构和相变机制决定了相变存储材料的相变行为,而计算材料学是研究相变存储材料微观结构与相变机制之间联系的必要手段。运用第一性原理动态模拟相变存储材料的相变过程,可以弥补静态结构分析的不足,推动对快速可逆相变机理动态过程的理解运用,同时为进一步研究相变存储材料提供借鉴。

论文目录

• 1 引言
• 2 相变存储材料
•   2.1 相变存储材料工作原理
•   2.2 相变存储材料性能要求
•   2.3 相变存储材料体系
•     2.3.1 Ge-Sb-Te体系及其掺杂改性
•     2.3.2 新型相变存储材料
•       （1）GeSb相变存储材料
•       （2）SiSb相变存储材料
• 3 第一性原理用于相变存储材料相变机制的的研究
•   3.1 第一性原理理论发展
•   3.2 相变存储材料相变机制研究现状
• 4 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 郝艳,周细应,杜玲玲,李晓

关键词: 相变存储材料,第一性原理,微观结构,相变机制

来源: 人工晶体学报 2019年11期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 材料科学

单位: 上海工程技术大学材料工程学院

分类号: TB34

DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.11.025

页码: 2152-2157+2163

总页数: 7

文件大小: 176K

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