Print

一种陶瓷衬底的氮化镓芯片论文和设计-唐兰香

全文摘要

本实用新型公开了一种陶瓷衬底的氮化镓芯片,包括芯片本体和陶瓷垫片,陶瓷垫片的顶部左右两侧均设有插槽,插槽的底壁设有螺孔,螺孔内螺接有螺柱,螺柱的顶端焊接有弹簧,芯片本体的底部左右两侧均固定安装有立杆,两个立杆的底端分别插接在两个插槽内,立杆的底端和弹簧的顶端相贴合,陶瓷垫片的顶部左右两端均设有安装槽,芯片本体的底部左右两端均固定安装有连接装置,本实用新型通过在插槽的底部设有螺孔,螺孔内螺接有螺柱,螺柱的顶端安装有弹簧,弹簧的顶端和立杆的底端相贴合,且芯片本体的底部通过连接装置连接在陶瓷垫片顶部的安装槽内,通过弹簧的顶端和立杆的底端为不固定关系,方便陶瓷垫片和芯片本体的拆装。

设计图

一种陶瓷衬底的氮化镓芯片论文和设计

相关信息详情

申请码:申请号:CN201921170307.0

申请日:2019-07-24

公开号:公开日:国家:CN

国家/省市:13(河北)

授权编号:CN209880585U

授权时间:20191231

主分类号:H01L23/32

专利分类号:H01L23/32;H05K13/04

范畴分类:38F;

申请人:同辉电子科技股份有限公司

第一申请人:同辉电子科技股份有限公司

申请人地址:050200 河北省石家庄市鹿泉区高新技术开发区昌盛大街21号

发明人:唐兰香;宋士增;甘琨;孟立智;李会杰

第一发明人:唐兰香

当前权利人:同辉电子科技股份有限公司

代理人:周大伟

代理机构:13115

代理机构编号:石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115

优先权:关键词:当前状态:审核中

类型名称:外观设计

本文来源: https://www.lunwen90.cn/article/c5354d81f9f96b3509b99977.html