Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7栅绝缘层的SiO2修饰对ZnO-TFTs性能的影响

论文摘要

具有高介电常数的栅绝缘层材料存在某种极化及耦合作用,使得ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应、大的电容耦合效应和低的载流子迁移率.为了解决这些问题,本文提出了一种使用SiO2修饰的Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7作为栅绝缘层的ZnO-TFTs结构,分析了SiO2修饰对栅绝缘层和ZnO-TFTs性能的影响.结果表明,使用SiO2修饰后,栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能得到显著提高,使得ZnO-TFTs在下一代显示领域中具有非常广泛的应用前景.栅绝缘层的漏电流密度从4.5×10-5A/cm2降低到7.7×10-7A/cm2,粗糙度从4.52nm降低到3.74nm,ZnO-TFTs的亚阈值摆幅从10V/dec降低到2.81V/dec,界面态密度从8×1013cm-2降低到9×1012cm-2,迁移率从0.001cm2/（V·s）升高到0.159cm2/（V·s）.

论文目录

• 1 引言
• 2 实验
• 3 结果与讨论
•   3.1 栅绝缘层的XRD衍射和I-E特性分析
•   3.2 栅绝缘层的AFM形貌分析
•   3.3 栅绝缘层的介电特性和C-E特性分析
•   3.4 ZnO-TFTs的输出特性分析
•   3.5 ZnO-TFTs的转移特性分析
• 4 总结

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 叶伟,崔立堃,常红梅

关键词: 薄膜,氧化锌薄膜晶体管,修饰层,射频磁控溅射

来源: 电子学报 2019年06期

年度: 2019

分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备,无线电电子学

单位: 陕西理工大学机械工程学院

基金: 陕西省教育厅专项科学研究计划(No.17JK0144,No.18JK0151),陕西省工业自动化重点实验室项目(No.09JS045),陕西理工大学人才启动项目(No.SLGQD2017-19)

分类号: TB383.2;TN321.5

页码: 1344-1351

总页数: 8

文件大小: 792K

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