基于轴对称N-S方程和7组分18化学反应对20~90km再入高度下RAMC-Ⅱ飞行器周围流场进行数值模拟,并对算法进行验证。计算了电子密度分布,同时给出了不同再入高度下的碰撞频率、平均温度及总压强分布。通过分析得出电子密度随再入高度的增加先增加后减小,同一再入高度下电子密度沿轴向方向减小,沿着垂直于飞行器表面方向符合高斯分布。最大碰撞频率随着再入高度增加而减小,同一再入高度下沿轴向方向减小。同一再入高度下最大平均温度沿着轴向距离逐渐减小。最大总压强随着再入高度的增加而减小,同一再入高度下最大总压强沿着轴向距离逐渐减小。
类型: 期刊论文
作者: 欧阳文冲,刘彦明,邓伟锋,王俊杰
关键词: 再入高度,电子密度,碰撞频率,平均温度,总压强
来源: 航空动力学报 2019年12期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,基础科学
专业: 力学,航空航天科学与工程
单位: 西安电子科技大学空间科学与技术学院
基金: 国家自然科学基金(61627901)
分类号: V211
DOI: 10.13224/j.cnki.jasp.2019.12.009
页码: 2608-2615
总页数: 8
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本文来源: https://www.lunwen90.cn/article/c03debda8fd4c107a697a648.html