14 MeV快中子照相准直屏蔽系统的设计与优化

论文摘要

基于强流氘氚中子源科学装置HINEG设计了一套快中子照相准直屏蔽系统。采用中子输运设计与安全评价软件系统SuperMC和ENDF/B-Ⅶ.0数据库计算了准直中子束的中子能谱及注量率、γ射线能谱及注量率、直射中子注量率与γ射线注量率比值（φd/φγ）、直射与散射中子注量率比值（φd/φs）、准直束中子注量率的不均匀度等特性参数,并采用MCNP5程序进行了对比验证。研究了准直屏蔽系统的内衬材料、尺寸等对特性参数的影响规律,并通过优化获取了最优设计方案。计算结果显示,在同等计算条件下,SuperMC计算结果与MCNP计算结果相对偏差小于1%,准直屏蔽系统的φd/φγ为50.1,φd/φs为5.7,在?30 cm视野范围内的中子注量率为4.80×107cm-2·s-1,其中直射中子注量率为4.09×107cm-2·s-1,中子注量率不均匀度为5.8%,满足快中子照相对准直束特性参数的要求。

论文目录

• 1 计算模型与方法
• 2 准直屏蔽系统设计与优化
•   2.1 设计要求
•   2.2 初步方案
•   2.3 优化方法
•   2.4 优化方案
• 3 准直束特性参数计算结果与分析
•   3.1 中子注量率及能谱
•   3.2 中子注量率径向分布
• 4 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 王捷,李雅男,李桃生,王永峰

关键词: 快中子照相,准直屏蔽系统,中子源

来源: 原子能科学技术 2019年06期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑

专业: 核科学技术

单位: 中国科学院核能安全技术研究所中子输运理论与辐射安全重点实验室,中国科学技术大学

基金: 国家自然科学基金资助项目(11505219)

分类号: TL816.3

页码: 1105-1111

总页数: 7

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