一种Brokaw带隙基准结构下的过温保护电路设计

论文摘要

设计了一种基于Brokaw带隙基准结构下的高精度过温保护（OTP）电路。通过基准电路中两个三极管VBE的差值产生一个正温度系数的电压,将其看作一个正温度系数的传感器实现对温度变化的检测。该电路利用基准与电阻分压得到两个零温度系数的电压,通过二选一传输门改变比较器的阈值,实现具备温度迟滞效应的OTP电路系统。基于0.18μm BCD工艺,利用hspice软件进行模拟验证,结果表明,在典型工艺角下,当温度高于125℃时,电路输出高电平的控制信号,芯片停止工作;当温度低于92℃时,控制信号跳变回低电平,芯片正常工作,具有33℃的迟滞量。电源在3～5.5 V范围波动时,电路的温度保护阈值和迟滞量误差不超过0.06℃。

论文目录

• 0 引 言
• 1 电路结构原理分析
•   1.1 典型OTP电路结构原理分析
•   1.2 Brokaw带隙基准电路设计及其原理分析
•   1.3 高精度OTP电路
• 2 仿真结果与分析
• 3 结 论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 陈锦涛,冯全源

关键词: 过温保护,高精度,正温度系数,带隙基准,传感器

来源: 电子测量技术 2019年24期

年度: 2019

分类: 信息科技

专业: 无线电电子学

单位: 西南交通大学微电子研究所

基金: 国家自然科学基金重点项目(61531016,61831017),四川省科技支撑计划重点项目(2018GZ0139,2018ZDZX0148),四川省重大科技专项项目(2018GZDZX0001)资助

分类号: TN432

DOI: 10.19651/j.cnki.emt.1903210

页码: 71-74

总页数: 4

文件大小: 1485K

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