导读:本文包含了区熔速率论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:速率,单晶体,电子束,论文。
滑喜宝,张军,王红,刘林,傅恒志[1]（2008）在《区熔速率对电子束悬浮区熔钼单晶体质量的影响》一文中研究指出钼单晶是一种广泛应用的重要的难熔金属材料。利用籽晶法电子束悬浮区熔技术成功制备了晶体取向为(111)的钼单晶体,采用多种分析测试手段,研究了区熔速率对钼单晶体质量的影响。研究表明:电子束悬浮区熔钼单晶体内存在大量的亚结构,位错在结束的地方表现为山峰状的叁角形突起,而亚晶界是由这些山峰状突起连接而成;区熔速率对单晶体质量有着显着的影响。区熔速率越高,单晶(111)晶向偏离角越小,但晶体中的缺陷越多。(本文来源于《铸造技术》期刊2008年02期）
[1].滑喜宝,张军,王红,刘林,傅恒志.区熔速率对电子束悬浮区熔钼单晶体质量的影响[J].铸造技术.2008
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