全碳化硅功率模块开关瞬态特性及损耗研究

论文摘要

为了加快全碳化硅功率模块的实际工程应用,针对全碳化硅模块开通关断过程中电压电流变化率、栅极电压耦合、开通损耗和关断损耗开展了分析,并与传统IGBT功率模块进行了对比分析。在全碳化硅功率模块双脉冲试验的基础之上,研究了不同电压电流等级下开关瞬态特性和开关损耗,提取试验参数,获得了电压电流应力大小,为全碳化硅功率模块的工程应用提供有效参考。

论文目录

• 0 引 言
• 1 全SiC功率模块开关特性分析
•   1. 1 开通过程理论分析
•   1. 2 关断过程理论分析
•   1. 3 开关损耗计算
• 2 与IGBT模块对比分析
• 3 全SiC功率模块试验分析
•   3. 1 试验平台介绍
•   3. 2 开关瞬态特性分析
•   3. 3 开关损耗分析
•   3. 4 系统性能影响分析
• 4 结 语

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 徐文凯,朱俊杰,聂子玲,韩一,孙军

关键词: 全碳化硅功率模块,双脉冲测试,开关瞬态特性,开关损耗

来源: 电机与控制应用 2019年05期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑

专业: 电力工业

单位: 海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室

基金: 国家自然科学基金项目(51490681)

分类号: TM564

页码: 100-106+119

总页数: 8

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