银靶电流及溅射偏压对溅射沉积Cu/Ag薄膜导电性能的影响研究

论文摘要

磁控溅射技术制备有望作为电接触材料的Cu-Ag薄膜的工艺探索。利用方块电阻仪测试薄膜电阻,借助白光干涉仪和扫描电镜分析不同电流和不同偏压下粗糙度、薄膜厚度、Ag含量及微观结构对薄膜电阻影响规律。结果表明:不同银靶溅射电流下,Ag含量及微观结构为影响薄膜面电阻的主要因素,Ag含量低于18.13%（原子比）时膜中Cu-Ag固溶体相占比增大,这可能是引起薄膜面电阻增大的主要原因,柱状晶的贯穿程度越高电阻越小。不同偏压下,薄膜致密性和粗糙度对面电阻的影响较为明显,薄膜致密性越好,缺陷越少,电阻越小,而致密性相差不大时薄膜表面越光滑面电阻越小。

论文目录

• 1 实验
•   1.1 实验材料
•   1.2 实验方案及研究方法
• 2 结果与讨论
•   2.1 银靶溅射电流对薄膜面电阻的影响
•   2.2 溅射偏压对薄膜面电阻的影响
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 张丽俊,田武,常勇强,任伟宁,张长军,鲍明东

关键词: 磁控溅射,薄膜,溅射电流,偏压,面电阻

来源: 真空科学与技术学报 2019年12期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工,电力工业

单位: 长安大学材料科学与工程学院,太原理工大学材料科学与工程学院,宁波工程学院材料与化学工程学院

基金: 宁波市“科技创新2025”重大专项(2018B10066),宁波市科技计划项目(2017B10039)

分类号: TQ153

DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2019.12.08

页码: 1090-1095

总页数: 6

文件大小: 1807K

下载量: 75